蝕刻如何工作

[文字]是在工作面上添加蝕刻劑。該蝕刻劑將引起與工件的腐蝕化學(xué)反應(yīng)，并通過該化學(xué)反應(yīng)除去工件表面的表面材料。如果蝕刻劑是液體，則稱為濕法蝕刻，如果蝕刻劑是氣體，則稱為干法蝕刻。常規(guī)蝕刻主要是利用液體蝕刻劑的濕蝕刻，但是近年來，使用氣體等離子體等的干蝕刻技術(shù)已被廣泛采用。特別地，干蝕刻是在硅晶片上處理具有亞微米精度和微米（μ，m）尺寸的大規(guī)模集成電路的主要方法。濕蝕刻是宏觀反應(yīng)，其中工作物質(zhì)溶解在蝕刻劑中而不改變其化學(xué)性質(zhì)。但在微觀層面上，它是一個(gè)包含一個(gè)或多個(gè)化學(xué)反應(yīng)的過程，例如氧化，還原，絡(luò)合物形成和氣體反應(yīng)。通常，濕法蝕刻基于氧化和還原反應(yīng)。當(dāng)用強(qiáng)酸，強(qiáng)堿等蝕刻工件時(shí)，工件表面的晶體結(jié)構(gòu)會(huì)產(chǎn)生規(guī)則的電位差，并形成許多陰極和陽(yáng)極區(qū)域，可以在沒有外部電場(chǎng)的情況下產(chǎn)生均勻的電解反應(yīng)和蝕刻。 。反應(yīng)期間的溫度和時(shí)間控制非常重要。在干蝕刻中，等離子體蝕刻主要用于通過化學(xué)反應(yīng)進(jìn)行蝕刻。等離子蝕刻是在低壓下引入氣體，導(dǎo)致輝光放電產(chǎn)生低溫和低壓離子等離子體，該等離子體利用受激的逆反應(yīng)形成揮發(fā)性物質(zhì)，并排出以進(jìn)行蝕刻。